近日，東莞市發(fā)改委正式發(fā)布《東莞市發(fā)展半導體及集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群行動計劃（2022－2025年）》（以下簡稱“計劃”）。

 

　　到2025年，東莞市集成電路產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入超800億元，力爭達到1000億元，并建成華南地區(qū)第三代半導體材料及應用創(chuàng)新重要基地，并在封裝測試、芯片設計和第三代半導體等細分領域?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)化替代等具體目標。

 

　　近年來，東莞在集成電路研發(fā)設計、封裝測試和第三代半導體等領域集聚了一批企業(yè)，形成了一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

 

　　目前全市擁有涉及半導體及集成電路研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的企業(yè)257家，大多集中在封裝測試和研發(fā)設計環(huán)節(jié)，2021年實現(xiàn)主營業(yè)務收入約256億元，其中上市企業(yè)4家。

 

　　2025年，東莞的四大目標

 

　　《計劃》中，東莞是提出了到2025的四大目標。

 

　　1、到2025年，東莞市集成電路產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入超800億元，力爭達到1000億元，年均增速超過25%；

 

　　2、東莞市第三代半導體產(chǎn)業(yè)將具有全國競爭力，建成華南地區(qū)第三代半導體材料及應用創(chuàng)新重要基地，基本形成碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）襯底和外延材料、芯片/器件、應用的完整產(chǎn)業(yè)鏈；

 

　　3、企業(yè)創(chuàng)新研發(fā)投入占銷售收入比重超過5%，自主研發(fā)和引進消化吸收一批關鍵核心技術，在封裝測試、芯片設計和第三代半導體等細分領域?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)化替代；

 

　　組建一批高水準的企業(yè)研發(fā)中心，第三代半導體和集成電路技術創(chuàng)新平臺、產(chǎn)學研合作平臺等達到3個以上；

 

　　加快集聚創(chuàng)新人才，引進和培養(yǎng)第三代半導體和集成電路領軍人才30人以上、領軍團隊10個以上；

 

　　4、基本建成配套設施齊全、服務功能完善、規(guī)模效應明顯、上下游緊密配合的集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。集成電路專業(yè)公共服務平臺數(shù)量達到3個以上。

 

　　積極推動第三代半導體的發(fā)展

 

　　《計劃》中提出，將第三代半導體突破工程作為重點，積極推動氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、圖形化藍寶石（PSS）等第三代半導體材料在襯底、外延、器件、制備設備等方面的研發(fā)、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化，加快第三代半導體芯片應用推廣。

 

　　重點發(fā)展應用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、智慧電源等領域的中高壓MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（大功率絕緣柵雙極型晶體管）等SiC電子電力器件；應用于5G通信的GaN高功率射頻器件、GaN功率放大器、GaN微波集成電路芯片等GaN微波射頻器件；應用于新型顯示Mini/Micro－LED、激光器等領域的GaN光電器件。

 

　　推動建設4－8英寸SiC和GaN襯底、外延及芯片/器件生產(chǎn)線，打通SiC/GaN材料－SiC/GaN芯片/器件－SiC/GaN應用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，加快實現(xiàn)進口替代。

 

　　材料及關鍵電子元器件補鏈工程方面，大力引進技術領先的第三代半導體IDM企業(yè)，支持建設射頻、傳感器、電力電子等器件生產(chǎn)線，形成配套材料和封裝能力。

 

　　特種裝備及零部件配套工程方面，大力引進國內(nèi)外沉積設備、刻蝕設備、等離子清洗機、薄膜制備設備、第三代半導體設備等領域的龍頭企業(yè)。

 

　　對于重點發(fā)展的第三代半導體、集成電路制造和封裝測試等領域項目，積極爭取列入省重點建設項目計劃，獲得省先進制造業(yè)政策支持。